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IRF7205PBF Image
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IRF7205PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7205PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7205PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7205PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4320

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Anzahl

Spezifikation

IRF7205PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7205PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7205PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7205PBF.

Produkteigenschaften IRF7205PBF IRF7204TRPBF IRF7204TR IRF7207
Artikelnummer IRF7205PBF IRF7204TRPBF IRF7204TR IRF7207
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 2.7V, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±12V - ±12V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4.6A, 10V 60mOhm @ 5.3A, 10V 60mOhm @ 5.3A, 10V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Paket Tube Bulk Cut Tape (CT) Tube
Verlustleistung (max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) - 2.5W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta) 5.3A (Ta) 5.3A (Ta) 5.4A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V 860 pF @ 10 V 860 pF @ 10 V 780 pF @ 15 V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

IRF7205PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7205PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7205PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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