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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7311TR
IRF7311TR Image
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IRF7311TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7311TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7311TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7311.pdf
vorrätig: 4970

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Spezifikation

IRF7311TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7311TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7311TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6A, 4.5V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF731  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7311TR.

Produkteigenschaften IRF7311TR IRF7313QTRPBF IRF7313PBF IRF7311TRPBF
Artikelnummer IRF7311TR IRF7313QTRPBF IRF7313PBF IRF7311TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 33nC @ 10V 33nC @ 10V 27nC @ 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Bulk Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer IRF731 IRF731 IRF731 IRF731
FET-Merkmal Logic Level Gate - - Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V 650pF @ 25V 650pF @ 25V 900pF @ 15V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6A, 4.5V 29mOhm @ 5.8A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V 29mOhm @ 6A, 4.5V
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A 6.5A 6.5A 6.6A

IRF7311TR Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRF7311.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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