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IRF7343QTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7343QTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7343QTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7343QTRPBF.pdf
vorrätig: 4030

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Spezifikation

IRF7343QTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7343QTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7343QTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A, 3.4A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer IRF734  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7343QTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7343QTRPBF IRF7342QTRPBF IRF7350TRPBF IRF7343TRPBF
Artikelnummer IRF7343QTRPBF IRF7342QTRPBF IRF7350TRPBF IRF7343TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 210mOhm @ 2.1A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V 55V 100V 55V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Grundproduktnummer IRF734 IRF734 IRF7350 IRF734
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V 690pF @ 25V 380pF @ 25V 740pF @ 25V
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A, 3.4A 3.4A 2.1A, 1.5A 4.7A, 3.4A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V 38nC @ 10V 28nC @ 10V 36nC @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie - - HEXFET® HEXFET®

IRF7343QTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7343QTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7343QTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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