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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7413A
IRF7413A Image
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IRF7413A - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7413A
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7413A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7413A.pdf
vorrätig: 3940

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Spezifikation

IRF7413A Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7413A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7413A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 6.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7413A.

Produkteigenschaften IRF7413A IRF7413QTRPBF IRF7410PBF IRF7413PBF
Artikelnummer IRF7413A IRF7413QTRPBF IRF7410PBF IRF7413PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 10 V 79 nC @ 10 V 91 nC @ 4.5 V 79 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 6.6A, 10V 11mOhm @ 7.3A, 10V 7mOhm @ 16A, 4.5V 11mOhm @ 7.3A, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 8676 pF @ 10 V 1800 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 900mV @ 250µA 3V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 12 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Tube Cut Tape (CT) Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta) 13A (Ta) 16A (Ta) 13A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SOIC 8-SO
Vgs (Max) ±20V - ±8V ±20V
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®

IRF7413A Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7413A PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7413A - Infineon Technologies herunter.

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IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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