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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7416QTRPBF
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IRF7416QTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7416QTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7416QTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7416QPbF.pdf
vorrätig: 4910

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Anzahl

Spezifikation

IRF7416QTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7416QTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7416QTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7416QTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7416QTRPBF IRF7420TR IRF7420TRPBF IRF7416PBF
Artikelnummer IRF7416QTRPBF IRF7420TR IRF7420TRPBF IRF7416PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 12 V 12 V 30 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta) 11.5A (Tc) 11.5A (Tc) 10A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 3529 pF @ 10 V 3529 pF @ 10 V 1700 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V 14mOhm @ 11.5A, 4.5V 14mOhm @ 11.5A, 4.5V 20mOhm @ 5.6A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 38 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V 92 nC @ 10 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

IRF7416QTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7416QTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7416QTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Mult Dev EOL 8/Jan/2016.pdf Mult Device Status Chg 13/Aug/2016.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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