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IRF7457TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7457TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7457TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7457TR.pdf
vorrätig: 4790

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Spezifikation

IRF7457TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7457TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7457TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7457TR.

Produkteigenschaften IRF7457TR IRF7456PBF IRF7457PBF IRF7457
Artikelnummer IRF7457TR IRF7456PBF IRF7457PBF IRF7457
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V 62 nC @ 5 V 42 nC @ 4.5 V 42 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 10 V 3640 pF @ 15 V 3100 pF @ 10 V 3100 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 10V 6.5mOhm @ 16A, 10V 7mOhm @ 15A, 10V 7mOhm @ 15A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta) 16A (Ta) 15A (Ta) 15A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7457TR Datenblatt PDF

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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