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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7530TR
Infineon Technologies
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IRF7530TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7530TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7530TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7530.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4330

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Spezifikation

IRF7530TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7530TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7530TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.4A, 4.5V  
Leistung - max 1.3W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF7530  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7530TR.

Produkteigenschaften IRF7530TR IRF7555TR IRF7530TRPBF IRF7524D1TRPBF
Artikelnummer IRF7530TR IRF7555TR IRF7530TRPBF IRF7524D1TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V 15nC @ 5V 26nC @ 4.5V 8.2 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310pF @ 15V 1066pF @ 10V 1310pF @ 15V 240 pF @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A 4.3A 5.4A 1.7A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IRF7530 IRF7555 IRF7530 -
Serie HEXFET® - HEXFET® FETKY™
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Schottky Diode (Isolated)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Leistung - max 1.3W 1.25W 1.3W -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.4A, 4.5V 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 30mOhm @ 5.4A, 4.5V 270mOhm @ 1.2A, 4.5V

IRF7530TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7530TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7530TR - Infineon Technologies herunter.

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HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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