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IRF7807 Image
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IRF7807 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7807
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7807
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7807/A.pdf
vorrätig: 4660

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Anzahl

Spezifikation

IRF7807 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7807 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7807

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.3A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7807.

Produkteigenschaften IRF7807 IRF7805ZGTRPBF IRF7807D1TRPBF IRF7807D2TRPBF
Artikelnummer IRF7807 IRF7805ZGTRPBF IRF7807D1TRPBF IRF7807D2TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® FETKY™ FETKY™
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.25V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V 6.8mOhm @ 16A, 10V 25mOhm @ 7A, 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 4.5V, 10V 4.5V 4.5V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V 27 nC @ 4.5 V 17 nC @ 5 V 17 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.3A (Ta) 16A (Ta) 8.3A (Ta) 8.3A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

IRF7807 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7807 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7807 - Infineon Technologies herunter.

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EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRF7807/A.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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