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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7807TRPBF
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IRF7807TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7807TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7807TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7807TRPBF.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5400

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Spezifikation

IRF7807TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7807TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7807TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.3A (Ta)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7807TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7807TRPBF IRF7807TR IRF7807D1TR IRF7807VD1TR
Artikelnummer IRF7807TRPBF IRF7807TR IRF7807D1TR IRF7807VD1TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V 17 nC @ 5 V 17 nC @ 5 V 14 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® FETKY™ FETKY™
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 4.5V 4.5V 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.3A (Ta) 8.3A (Ta) 8.3A (Ta) 8.3A (Ta)

IRF7807TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7807TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7807TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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