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IRF7811WTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7811WTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7811WTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7811WPbF.pdf
vorrätig: 3660

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Spezifikation

IRF7811WTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7811WTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7811WTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2335 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7811WTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7811WTRPBF IRF7811AVTRPBF IRF7811WGTRPBF IRF7815TRPBF
Artikelnummer IRF7811WTRPBF IRF7811AVTRPBF IRF7811WGTRPBF IRF7815TRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 4.5V 4.5V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2335 pF @ 16 V 1801 pF @ 10 V 2335 pF @ 16 V 1647 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 5 V 26 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V 38 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta) 2.5W (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 150 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 4.5V 14mOhm @ 15A, 4.5V 12mOhm @ 15A, 4.5V 43mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 5V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 10.8A (Ta) 14A (Ta) 5.1A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IRF7811WTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7811WTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7811WTRPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
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