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IRF7821TR Image
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IRF7821TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7821TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7821TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7821.pdf
vorrätig: 4370

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Spezifikation

IRF7821TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7821TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7821TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.6A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7821TR.

Produkteigenschaften IRF7821TR IRF7822TRPBF IRF7821PBF IRF7815TRPBF
Artikelnummer IRF7821TR IRF7822TRPBF IRF7821PBF IRF7815TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V 4.5V, 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 13A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 4.5V 9.1mOhm @ 13A, 10V 43mOhm @ 3.1A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 5V @ 100µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 150 V
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 15 V 5500 pF @ 16 V 1010 pF @ 15 V 1647 pF @ 75 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.6A (Ta) 18A (Ta) 13.6A (Ta) 5.1A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 60 nC @ 5 V 14 nC @ 4.5 V 38 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF7821TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7821TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7821TR - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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