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IRF7904PBF Image
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IRF7904PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7904PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7904PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7904PBF.pdf
vorrätig: 3620

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Spezifikation

IRF7904PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7904PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7904PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 7.6A, 10V  
Leistung - max 1.4W, 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.6A, 11A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF7904  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7904PBF.

Produkteigenschaften IRF7904PBF IRF7902TRPBF IRF7905TRPBF IRF7901D1TRPBF
Artikelnummer IRF7904PBF IRF7902TRPBF IRF7905TRPBF IRF7901D1TRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® FETKY™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V 6.9nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V 6.9nC @ 4.5V 10.5nC @ 5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.6A, 11A 6.4A (Ta), 9.7A (Ta) 7.8A, 8.9A 6.2A
Grundproduktnummer IRF7904 IRF7902 IRF7905 IRF7901
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 15V 580pF @ 15V, 900pF @ 15V 600pF @ 15V 780pF @ 16V
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA 2.25V @ 25µA 2.25V @ 25µA 1V @ 250µA
Leistung - max 1.4W, 2W 1.4W (Ta), 2W (Ta) 2W 2W
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 7.6A, 10V 22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V 21.8mOhm @ 7.8A, 10V 38mOhm @ 5A, 4.5V
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IRF7904PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7904PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7904PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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