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IRF8788TRPBF Image
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IRF8788TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF8788TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF8788TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF8788TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51230

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Anzahl

Spezifikation

IRF8788TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF8788TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF8788TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 24A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5720 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Ta)  
Grundproduktnummer IRF8788  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF8788TRPBF.

Produkteigenschaften IRF8788TRPBF IRF8736TRPBF IRF8736PBF IRF8788PBF
Artikelnummer IRF8788TRPBF IRF8736TRPBF IRF8736PBF IRF8788PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Grundproduktnummer IRF8788 IRF8736 - -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 66 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 100µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5720 pF @ 15 V 2315 pF @ 15 V 2315 pF @ 15 V 5720 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 24A, 10V 4.8mOhm @ 18A, 10V 4.8mOhm @ 18A, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Ta) 18A (Ta) 18A (Ta) 24A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF8788TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF8788TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF8788TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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