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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9410
IRF9410 Image
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IRF9410 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF9410
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9410
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF9410.pdf
vorrätig: 4910

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Anzahl

Spezifikation

IRF9410 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF9410 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF9410

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF9410.

Produkteigenschaften IRF9410 IRF9392TRPBF IRF9410TR IRF9510
Artikelnummer IRF9410 IRF9392TRPBF IRF9410TR IRF9510
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.4V @ 25µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V 1270 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 43W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta) 9.8A (Ta) 7A (Ta) 4A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 10V 12.1mOhm @ 7.8A, 20V 30mOhm @ 7A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V, 20V 4.5V, 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

IRF9410 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9410 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF9410 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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