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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9530NS
IRF9530NS Image
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IRF9530NS - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF9530NS
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9530NS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF9530NS.pdf
vorrätig: 5110

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Anzahl

Spezifikation

IRF9530NS Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF9530NS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF9530NS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 8.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF9530NS.

Produkteigenschaften IRF9530NS IRF9530NSTRLPBF IRF9530NPBF IRF9530NSTRRPBF
Artikelnummer IRF9530NS IRF9530NSTRLPBF IRF9530NPBF IRF9530NSTRRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 79W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 8.4A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK TO-220AB D2PAK
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRF9530NS Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9530NS PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF9530NS - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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