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IRF9953 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF9953
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9953
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF9953.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5480

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Spezifikation

IRF9953 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF9953 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF9953

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF995  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF9953.

Produkteigenschaften IRF9953 IRF9952 IRF9953PBF IRF9956TRPBF
Artikelnummer IRF9953 IRF9952 IRF9953PBF IRF9956TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 14nC @ 10V 12nC @ 10V 14nC @ 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V 190pF @ 15V 190pF @ 15V 190pF @ 15V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A 3.5A, 2.3A 2.3A 3.5A
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRF995 IRF995 IRF995 IRF995
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate

IRF9953 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9953 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF9953 - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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