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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFB31N20DPBF
International Rectifier
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IRFB31N20DPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFB31N20DPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFB31N20DPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFB31N20DPBF.pdf
vorrätig: 4040

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Spezifikation

IRFB31N20DPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFB31N20DPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFB31N20DPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFB31N20DPBF.

Produkteigenschaften IRFB31N20DPBF IRFB3206GPBF IRFB3077PBF IRFB3006PBF
Artikelnummer IRFB31N20DPBF IRFB3206GPBF IRFB3077PBF IRFB3006PBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Bulk Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V 6540 pF @ 50 V 9400 pF @ 50 V 8970 pF @ 50 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 195A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 300W (Tc) 370W (Tc) 375W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 60 V 75 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 2.5mOhm @ 170A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

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Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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