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IRFB4310ZGPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFB4310ZGPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFB4310ZGPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFB4310ZGPBF.pdf
vorrätig: 4160

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Spezifikation

IRFB4310ZGPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFB4310ZGPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFB4310ZGPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFB4310ZGPBF.

Produkteigenschaften IRFB4310ZGPBF IRFB42N20D IRFB4321PBF IRFB42N20DPBF
Artikelnummer IRFB4310ZGPBF IRFB42N20D IRFB4321PBF IRFB42N20DPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 75A, 10V 55mOhm @ 26A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V 55mOhm @ 26A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 150 V 200 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 44A (Tc) 85A (Tc) 44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) 350W (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 50 V 3430 pF @ 25 V 4460 pF @ 50 V 3430 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -

IRFB4310ZGPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFB4310ZGPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFB4310ZGPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRFB4310ZGPBF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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