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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFB7430PBF
IRFB7430PBF Image
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IRFB7430PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFB7430PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFB7430PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 40V 195A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFB7430PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24235

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Anzahl

Spezifikation

IRFB7430PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFB7430PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFB7430PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14240 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFB7430  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFB7430PBF.

Produkteigenschaften IRFB7430PBF IRFB7440PBF IRFB7434PBF IRFB61N15DPBF
Artikelnummer IRFB7430PBF IRFB7440PBF IRFB7434PBF IRFB61N15DPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 32mOhm @ 36A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA 3.9V @ 100µA 3.9V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V -
Grundproduktnummer IRFB7430 IRFB7440 IRFB7434 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14240 pF @ 25 V 4730 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V 3470 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 143W (Tc) 294W (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc) 120A (Tc) 195A (Tc) 60A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 150 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFB7430PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFB7430PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFB7430PBF - Infineon Technologies herunter.

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