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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7932TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH7932TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7932TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7932TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH7932TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 96730

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Anzahl

Spezifikation

IRFH7932TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7932TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7932TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) Single Die  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.4W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4270 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Ta), 104A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFH7932  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7932TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH7932TRPBF IRFH7923TRPBF IRFH7934TRPBF IRFH8202TRPBF
Artikelnummer IRFH7932TRPBF IRFH7923TRPBF IRFH7934TRPBF IRFH8202TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Ta), 104A (Tc) 15A (Ta), 33A (Tc) 24A (Ta), 76A (Tc) 47A (Ta), 100A (Tc)
Grundproduktnummer IRFH7932 - IRFH7934 IRFH8202
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 30 nC @ 4.5 V 110 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 150µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) Single Die PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4270 pF @ 15 V 1095 pF @ 15 V 3100 pF @ 15 V 7174 pF @ 13 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V 8.7mOhm @ 15A, 10V 3.5mOhm @ 24A, 10V 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 3.4W (Ta) - 3.1W (Ta) 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFH7932TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7932TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7932TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Add 28/Aug/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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