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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH8324TR2PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH8324TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH8324TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH8324TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH8324TR2PBF.pdf
vorrätig: 77110

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Spezifikation

IRFH8324TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH8324TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH8324TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 54W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2380 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 90A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH8324TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH8324TR2PBF IRFH8321TRPBF IRFH8324TRPBF IRFH8318TRPBF
Artikelnummer IRFH8324TR2PBF IRFH8321TRPBF IRFH8324TRPBF IRFH8318TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 20A, 10V 4.9mOhm @ 20A, 10V 4.1mOhm @ 20A, 10V 3.1mOhm @ 20A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 2V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 90A (Tc) 21A (Ta), 83A (Tc) 23A (Ta), 90A (Tc) 27A (Ta), 120A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2380 pF @ 10 V 2600 pF @ 10 V 2380 pF @ 10 V 3180 pF @ 10 V
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 54W (Tc) 3.4W (Ta), 54W (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IRFH8324TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH8324TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH8324TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf

Lieferung

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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