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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFI540NPBF
IRFI540NPBF Image
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IRFI540NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFI540NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFI540NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRFI540NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40260

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Anzahl

Spezifikation

IRFI540NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFI540NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFI540NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 54W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFI540  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFI540NPBF.

Produkteigenschaften IRFI540NPBF IRFI530N IRFI530G IRFI624GPBF
Artikelnummer IRFI540NPBF IRFI530N IRFI530G IRFI624GPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP TO-220-3 TO-220-3
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 12A (Tc) 9.7A (Tc) 3.4A (Tc)
Grundproduktnummer IRFI540 - IRFI530 IRFI624
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 11A, 10V 110mOhm @ 6.6A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 10V 1.1Ohm @ 2A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Verlustleistung (max) 54W (Tc) 41W (Tc) 42W (Tc) 30W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 250 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRFI540NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFI540NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFI540NPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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