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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFIZ34E
Infineon Technologies
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IRFIZ34E - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFIZ34E
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFIZ34E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 21A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRFIZ34E.pdf
vorrätig: 4730

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Anzahl

Spezifikation

IRFIZ34E Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFIZ34E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFIZ34E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFIZ34E.

Produkteigenschaften IRFIZ34E IRFIZ34G IRFIZ24EPBF IRFIBF30G
Artikelnummer IRFIZ34E IRFIZ34G IRFIZ24EPBF IRFIBF30G
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 37W (Tc) 42W (Tc) 29W (Tc) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 900 V
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TO-220-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 11A, 10V 50mOhm @ 12A, 10V 71mOhm @ 7.8A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 20A (Tc) 14A (Tc) 1.9A (Tc)

IRFIZ34E Datenblatt PDF

Laden Sie IRFIZ34E PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFIZ34E - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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