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IRFL4105TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFL4105TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFL4105TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRFL4105TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 101490

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Anzahl

Spezifikation

IRFL4105TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFL4105TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFL4105TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta)  
Grundproduktnummer IRFL4105  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFL4105TRPBF.

Produkteigenschaften IRFL4105TRPBF IRFL4310PBF IRFL4315PBF IRFL4105
Artikelnummer IRFL4105TRPBF IRFL4310PBF IRFL4315PBF IRFL4105
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V 660 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 2.8W (Ta) 1W (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer IRFL4105 - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 100 V 150 V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.7A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 10V 185mOhm @ 1.6A, 10V 45mOhm @ 3.7A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta) 1.6A (Ta) 2.6A (Ta) 3.7A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -

IRFL4105TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFL4105TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFL4105TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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