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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP3006PBF
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IRFP3006PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFP3006PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP3006PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP3006PBF.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 15161

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Spezifikation

IRFP3006PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFP3006PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFP3006PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP3006  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFP3006PBF.

Produkteigenschaften IRFP3006PBF IRFP31N50LPBF IRFP2907PBF IRFP2907ZPBF
Artikelnummer IRFP3006PBF IRFP31N50LPBF IRFP2907PBF IRFP2907ZPBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 620 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc) 31A (Tc) 209A (Tc) 90A (Tc)
Grundproduktnummer IRFP3006 IRFP31 IRFP2907 IRFP2907
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V 180mOhm @ 19A, 10V 4.5mOhm @ 125A, 10V 4.5mOhm @ 90A, 10V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 460W (Tc) 470W (Tc) 310W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - - HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 500 V 75 V 75 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V 5000 pF @ 25 V 13000 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V

IRFP3006PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP3006PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFP3006PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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