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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP9140N
IRFP9140N Image
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IRFP9140N - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFP9140N
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP9140N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP9140N.pdf
vorrätig: 5010

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Anzahl

Spezifikation

IRFP9140N Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFP9140N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFP9140N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bag  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFP9140N.

Produkteigenschaften IRFP9140N IRFP7430PBF IRFP9240PBF IRFP9240
Artikelnummer IRFP9140N IRFP7430PBF IRFP9240PBF IRFP9240
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Harris Corporation
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 14240 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 200 V 200 V
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 366W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 10V
Paket Bag Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.9V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 195A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V 460 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 13A, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 500mOhm @ 7.2A, 10V 500mOhm @ 7.2A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC

IRFP9140N Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP9140N PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFP9140N - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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