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IRFR24N15DTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR24N15DTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR24N15DTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR24N15DTRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 57070

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Anzahl

Spezifikation

IRFR24N15DTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR24N15DTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR24N15DTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR24N15DTRPBF.

Produkteigenschaften IRFR24N15DTRPBF IRFR2607ZPBF IRFR2407PBF IRFR24N15DPBF
Artikelnummer IRFR24N15DTRPBF IRFR2607ZPBF IRFR2407PBF IRFR24N15DPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 75 V 75 V 150 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc) 140W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 14A, 10V 22mOhm @ 30A, 10V 26mOhm @ 25A, 10V 95mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRFR24 - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 25 V 1440 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 890 pF @ 25 V

IRFR24N15DTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR24N15DTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR24N15DTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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