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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR3707PBF
International Rectifier
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IRFR3707PBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFR3707PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR3707PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR3707PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1732050

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Anzahl

Spezifikation

IRFR3707PBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFR3707PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFR3707PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 87W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 61A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFR3707PBF.

Produkteigenschaften IRFR3707PBF IRFR3708 IRFR3707 IRFR3707ZTRRPBF
Artikelnummer IRFR3707PBF IRFR3708 IRFR3707 IRFR3707ZTRRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 61A (Tc) 61A (Tc) 61A (Tc) 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 15A, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 13mOhm @ 15A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 87W (Tc) 87W (Tc) 87W (Tc) 50W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 15 V 2417 pF @ 15 V 1990 pF @ 15 V 1150 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2.25V @ 25µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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