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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR3806PBF
IRFR3806PBF Image
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IRFR3806PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR3806PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR3806PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR3806PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5320

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Anzahl

Spezifikation

IRFR3806PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR3806PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR3806PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.8mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 71W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR3806PBF.

Produkteigenschaften IRFR3806PBF IRFR3910TRL IRFR3806TRPBF IRFR3711ZTR
Artikelnummer IRFR3806PBF IRFR3910TRL IRFR3806TRPBF IRFR3711ZTR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.8mOhm @ 25A, 10V 115mOhm @ 10A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 4V @ 250µA 4V @ 50µA 2.45V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 27 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43A (Tc) 16A (Tc) 43A (Tc) 93A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 60 V 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 71W (Tc) 79W (Tc) 71W (Tc) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 50 V 640 pF @ 25 V 1150 pF @ 50 V 2160 pF @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRFR3806PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR3806PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR3806PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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