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IRFR4620TRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR4620TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR4620TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR4620TRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37940

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Spezifikation

IRFR4620TRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR4620TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR4620TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 144W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR4620  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR4620TRLPBF.

Produkteigenschaften IRFR4620TRLPBF IRFR4615TRLPBF IRFR48ZTRLPBF IRFR4615PBF
Artikelnummer IRFR4620TRLPBF IRFR4615TRLPBF IRFR48ZTRLPBF IRFR4615PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-PAK (TO-252AA) D-Pak
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4V @ 50µA 5V @ 100µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V 1750 pF @ 50 V 1720 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 144W (Tc) 144W (Tc) 91W (Tc) 144W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 33A (Tc) 42A (Tc) 33A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 15A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V 11mOhm @ 37A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 150 V 55 V 150 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Grundproduktnummer IRFR4620 IRFR4615 IRFR48 -

IRFR4620TRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR4620TRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR4620TRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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