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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR5305TRL
IRFR5305TRL Image
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IRFR5305TRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR5305TRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR5305TRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR/U5305.pdf
vorrätig: 3780

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Anzahl

Spezifikation

IRFR5305TRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR5305TRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR5305TRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR5305TRL.

Produkteigenschaften IRFR5305TRL IRFR5305TRLPBF IRFR48ZTRLPBF IRFR5305PBF
Artikelnummer IRFR5305TRL IRFR5305TRLPBF IRFR48ZTRLPBF IRFR5305PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 16A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V 11mOhm @ 37A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1720 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 42A (Tc) 31A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 91W (Tc) 110W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-PAK (TO-252AA) D-Pak
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 250µA

IRFR5305TRL Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR5305TRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR5305TRL - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRFR/U5305.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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