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IRFR9024NPBF Image
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IRFR9024NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR9024NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR9024NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR9024NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5290

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Anzahl

Spezifikation

IRFR9024NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR9024NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR9024NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 6.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 38W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR9024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR9024NPBF.

Produkteigenschaften IRFR9024NPBF IRFR9024TR IRFR9024TRPBF IRFR9020PBF
Artikelnummer IRFR9024NPBF IRFR9024TR IRFR9024TRPBF IRFR9020PBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 6.6A, 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 280mOhm @ 5.7A, 10V
Serie HEXFET® - - -
Grundproduktnummer IRFR9024 IRFR9024 IRFR9024 IRFR9020
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 38W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 42W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 60 V 60 V 50 V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 8.8A (Tc) 8.8A (Tc) 9.9A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFR9024NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR9024NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR9024NPBF - Infineon Technologies herunter.

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