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IRFS23N20DPBF Image
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IRFS23N20DPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS23N20DPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS23N20DPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS23N20DPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4080

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Spezifikation

IRFS23N20DPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS23N20DPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS23N20DPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS23N20DPBF.

Produkteigenschaften IRFS23N20DPBF IRFS23N15D IRFS23N20DTRLP IRFS17N20DTRLP
Artikelnummer IRFS23N20DPBF IRFS23N15D IRFS23N20DTRLP IRFS17N20DTRLP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V 90mOhm @ 14A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 23A (Tc) 24A (Tc) 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 150 V 200 V 200 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

IRFS23N20DPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS23N20DPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS23N20DPBF - Infineon Technologies herunter.

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