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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS3207PBF
IRFS3207PBF Image
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IRFS3207PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS3207PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS3207PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS3207PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5220

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Anzahl

Spezifikation

IRFS3207PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS3207PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS3207PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS3207PBF.

Produkteigenschaften IRFS3207PBF IRFS3306PBF IRFS3207ZTRRPBF IRFS3206PBF
Artikelnummer IRFS3207PBF IRFS3306PBF IRFS3207ZTRRPBF IRFS3206PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 60 V 75 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V 4520 pF @ 50 V 6920 pF @ 50 V 6540 pF @ 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFS3207PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS3207PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS3207PBF - Infineon Technologies herunter.

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