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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS41N15DPBF
IRFS41N15DPBF Image
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IRFS41N15DPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS41N15DPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS41N15DPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS41N15DPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4580

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Anzahl

Spezifikation

IRFS41N15DPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS41N15DPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS41N15DPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 41A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS41N15DPBF.

Produkteigenschaften IRFS41N15DPBF IRFS4127PBF IRFS4115TRLPBF IRFS41N15DTRLP
Artikelnummer IRFS41N15DPBF IRFS4127PBF IRFS4115TRLPBF IRFS41N15DTRLP
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta) 375W (Tc) 375W (Tc) 3.1W (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520 pF @ 25 V 5380 pF @ 50 V 5270 pF @ 50 V 2520 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 41A (Tc) 72A (Tc) 195A (Tc) 41A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 200 V 150 V 150 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 10V 22mOhm @ 44A, 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V 45mOhm @ 25A, 10V
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFS41N15DPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS41N15DPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS41N15DPBF - Infineon Technologies herunter.

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