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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU5410
Infineon Technologies
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IRFU5410 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFU5410
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU5410
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFR/U5410.pdf
vorrätig: 5360

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Anzahl

Spezifikation

IRFU5410 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFU5410 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFU5410

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 7.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 66W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFU5410.

Produkteigenschaften IRFU5410 IRFU5410PBF IRFU430APBF IRFU4615PBF
Artikelnummer IRFU5410 IRFU5410PBF IRFU430APBF IRFU4615PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 66W (Tc) 66W (Tc) 110W (Tc) 144W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 500 V 150 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 7.8A, 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V 1.7Ohm @ 3A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 100µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 13A (Tc) 5A (Tc) 33A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®

IRFU5410 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU5410 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFU5410 - Infineon Technologies herunter.

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EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRFR/U5410.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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