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IRFZ44ES Image
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IRFZ44ES - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFZ44ES
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ44ES
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFZ44ES.pdf
vorrätig: 4780

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ44ES Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFZ44ES Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFZ44ES

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 29A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFZ44ES.

Produkteigenschaften IRFZ44ES IRFZ40PBF IRFZ44EPBF IRFZ44ESTRLPBF
Artikelnummer IRFZ44ES IRFZ40PBF IRFZ44EPBF IRFZ44ESTRLPBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 29A, 10V 28mOhm @ 31A, 10V 23mOhm @ 29A, 10V 23mOhm @ 29A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 50A (Tc) 48A (Tc) 48A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 150W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB TO-220AB D2PAK
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -

IRFZ44ES Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ44ES PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFZ44ES - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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