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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFZ44NPBF
IRFZ44NPBF Image
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IRFZ44NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFZ44NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ44NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFZ44NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 58730

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ44NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFZ44NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFZ44NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFZ44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFZ44NPBF.

Produkteigenschaften IRFZ44NPBF IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44NL IRFZ44NLPBF
Artikelnummer IRFZ44NPBF IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44NL IRFZ44NLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 94W (Tc) 110W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 60 V 55 V 55 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc) 48A (Tc) 49A (Tc) 49A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 25A, 10V 23mOhm @ 29A, 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-262 TO-262
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRFZ44 IRFZ44 - -

IRFZ44NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ44NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFZ44NPBF - Infineon Technologies herunter.

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