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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFZ44VZ
IRFZ44VZ Image
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IRFZ44VZ - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFZ44VZ
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ44VZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFZ44VZ.pdf
vorrätig: 4240

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ44VZ Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFZ44VZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFZ44VZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V  
Verlustleistung (max) 92W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFZ44VZ.

Produkteigenschaften IRFZ44VZ IRFZ44ZS IRFZ44VPBF IRFZ44VZSPBF
Artikelnummer IRFZ44VZ IRFZ44ZS IRFZ44VPBF IRFZ44VZSPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 92W (Tc) 80W (Tc) 115W (Tc) 92W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 1812 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-220AB D2PAK
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 16.5mOhm @ 31A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 55 V 60 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57A (Tc) 51A (Tc) 55A (Tc) 57A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

IRFZ44VZ Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ44VZ PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFZ44VZ - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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