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IRFZ48NSTRRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFZ48NSTRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ48NSTRRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFZ48NSTRRPBF.pdf
vorrätig: 3690

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ48NSTRRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFZ48NSTRRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFZ48NSTRRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1970 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFZ48NSTRRPBF.

Produkteigenschaften IRFZ48NSTRRPBF IRFZ48VPBF IRFZ48R IRFZ48S
Artikelnummer IRFZ48NSTRRPBF IRFZ48VPBF IRFZ48R IRFZ48S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 72A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1970 pF @ 25 V 1985 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 130W (Tc) 150W (Tc) 190W (Tc) 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 32A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V 18mOhm @ 43A, 10V 18mOhm @ 43A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 60 V 60 V 60 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263)
FET-Merkmal - - - -

IRFZ48NSTRRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ48NSTRRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFZ48NSTRRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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