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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelIRG4BAC50W-S
Infineon Technologies
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IRG4BAC50W-S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRG4BAC50W-S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRG4BAC50W-S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 55A 200W SUPER 220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-273AA
Datenblatt
IRG4BAC50W-S.pdf
vorrätig: 5150

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Anzahl

Spezifikation

IRG4BAC50W-S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRG4BAC50W-S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRG4BAC50W-S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 27A  
Testbedingung -  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 46ns/120ns  
Schaltenergie 80µJ (on), 320µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse SUPER-220™ (TO-273AA)  
Serie -  
Leistung - max 200 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-273AA  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 55 A  
Grundproduktnummer IRG4BAC  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRG4BAC50W-S.

Produkteigenschaften IRG4BAC50W-S IRG4BC10KDPBF IRG4BC10SPBF IRG4BC10SD
Artikelnummer IRG4BAC50W-S IRG4BC10KDPBF IRG4BC10SPBF IRG4BC10SD
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Leistung - max 200 W 38 W 38 W 38 W
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Td (ein / aus) bei 25 ° C 46ns/120ns 49ns/97ns 25ns/630ns 76ns/815ns
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 55 A 9 A 14 A 14 A
IGBT-Typ - - - -
Serie - - - -
Schaltenergie 80µJ (on), 320µJ (off) 250µJ (on), 140µJ (off) 140µJ (on), 2.58mJ (off) 310µJ (on), 3.28mJ (off)
Grundproduktnummer IRG4BAC IRG4BC10 - IRG4BC10
Testbedingung - 480V, 5A, 100Ohm, 15V 480V, 8A, 100Ohm, 15V 480V, 8A, 100Ohm, 15V
Supplier Device-Gehäuse SUPER-220™ (TO-273AA) TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-273AA TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 27A 2.62V @ 15V, 5A 1.8V @ 15V, 8A 1.8V @ 15V, 8A

IRG4BAC50W-S Datenblatt PDF

Laden Sie IRG4BAC50W-S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRG4BAC50W-S - Infineon Technologies herunter.

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EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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