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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelIRG4BC30FD-S
Infineon Technologies
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IRG4BC30FD-S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRG4BC30FD-S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRG4BC30FD-S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRG4BC30FD-S.pdf
vorrätig: 4500

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Anzahl

Spezifikation

IRG4BC30FD-S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRG4BC30FD-S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRG4BC30FD-S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A  
Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 42ns/230ns  
Schaltenergie 630µJ (on), 1.39mJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 42 ns  
Leistung - max 100 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 51 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 31 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRG4BC30FD-S.

Produkteigenschaften IRG4BC30FD-S IRG4BC30F-S IRG4BC30K-SPBF IRG4BC30FPBF
Artikelnummer IRG4BC30FD-S IRG4BC30F-S IRG4BC30K-SPBF IRG4BC30FPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Leistung - max 100 W 100 W 100 W 100 W
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V 480V, 17A, 23Ohm, 15V 480V, 16A, 23Ohm, 15V 480V, 17A, 23Ohm, 15V
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate-Ladung 51 nC 51 nC 67 nC 51 nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 42ns/230ns 21ns/200ns 26ns/130ns 21ns/200ns
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 42 ns - - -
Serie - - - -
Schaltenergie 630µJ (on), 1.39mJ (off) 230µJ (on), 1.18mJ (off) 360µJ (on), 510µJ (off) 230µJ (on), 1.18mJ (off)
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A 1.8V @ 15V, 17A 2.7V @ 15V, 16A 1.8V @ 15V, 17A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
IGBT-Typ - - - -
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120 A 120 A 56 A 124 A
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK TO-220AB
Strom - Kollektor (Ic) (max) 31 A 31 A 28 A 31 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V 600 V 600 V

IRG4BC30FD-S Datenblatt PDF

Laden Sie IRG4BC30FD-S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRG4BC30FD-S - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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