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IRG4BC30KDSTRRP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRG4BC30KDSTRRP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRG4BC30KDSTRRP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRG4BC30KDSTRRP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5480

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Anzahl

Spezifikation

IRG4BC30KDSTRRP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRG4BC30KDSTRRP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRG4BC30KDSTRRP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A  
Testbedingung 480V, 16A, 23Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 60ns/160ns  
Schaltenergie 600µJ (on), 580µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 42 ns  
Leistung - max 100 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 67 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 56 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 28 A  
Grundproduktnummer IRG4BC30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRG4BC30KDSTRRP.

Produkteigenschaften IRG4BC30KDSTRRP IRG4BC30S-S IRG4BC30K-STRRP IRG4BC30SPBF
Artikelnummer IRG4BC30KDSTRRP IRG4BC30S-S IRG4BC30K-STRRP IRG4BC30SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Strom - Collector Pulsed (Icm) 56 A 68 A 56 A 68 A
Leistung - max 100 W 100 W 100 W 100 W
Testbedingung 480V, 16A, 23Ohm, 15V 480V, 18A, 23Ohm, 15V 480V, 16A, 23Ohm, 15V 480V, 18A, 23Ohm, 15V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Schaltenergie 600µJ (on), 580µJ (off) 260µJ (on), 3.45mJ (off) 360µJ (on), 510µJ (off) 260µJ (on), 3.45mJ (off)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A 1.6V @ 15V, 18A 2.7V @ 15V, 16A 1.6V @ 15V, 18A
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK TO-220AB
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 42 ns - - -
IGBT-Typ - - - -
Gate-Ladung 67 nC 50 nC 67 nC 75 nC
Strom - Kollektor (Ic) (max) 28 A 34 A 28 A 34 A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Td (ein / aus) bei 25 ° C 60ns/160ns 22ns/540ns 26ns/130ns 22ns/540ns
Serie - - - -
Grundproduktnummer IRG4BC30 - IRG4BC30 -

IRG4BC30KDSTRRP Datenblatt PDF

Laden Sie IRG4BC30KDSTRRP PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRG4BC30KDSTRRP - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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