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IRG4RC10SD - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRG4RC10SD
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRG4RC10SD
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 14A 38W DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRG4RC10SD.pdf
vorrätig: 5150

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Spezifikation

IRG4RC10SD Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRG4RC10SD Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRG4RC10SD

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A  
Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 76ns/815ns  
Schaltenergie 310µJ (on), 3.28mJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 28 ns  
Leistung - max 38 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 15 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 18 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 14 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRG4RC10SD.

Produkteigenschaften IRG4RC10SD IRG4PSH71UPBF IRG4RC10KD IRG4RC10STRL
Artikelnummer IRG4RC10SD IRG4PSH71UPBF IRG4RC10KD IRG4RC10STRL
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Td (ein / aus) bei 25 ° C 76ns/815ns 51ns/280ns 49ns/97ns 25ns/630ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V 960V, 70A, 5Ohm, 15V 480V, 5A, 100Ohm, 15V 480V, 8A, 100Ohm, 15V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 14 A 99 A 9 A 14 A
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-274AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leistung - max 38 W 350 W 38 W 38 W
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 1200 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak SUPER-247™ (TO-274AA) D-Pak D-Pak
Schaltenergie 310µJ (on), 3.28mJ (off) 4.77mJ (on), 9.54mJ (off) 250µJ (on), 140µJ (off) 140µJ (on), 2.58mJ (off)
IGBT-Typ - - - -
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Paket Tube Bag Tube Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Pulsed (Icm) 18 A 200 A 18 A 18 A
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A 2.7V @ 15V, 70A 2.62V @ 15V, 5A 1.8V @ 15V, 8A
Gate-Ladung 15 nC 370 nC 19 nC 15 nC
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 28 ns - 28 ns -

IRG4RC10SD Datenblatt PDF

Laden Sie IRG4RC10SD PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRG4RC10SD - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IRG4RC10SD.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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