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IRGB30B60K - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRGB30B60K
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRGB30B60K
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 78A 370W TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRGB30B60K.pdf
vorrätig: 4800

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Anzahl

Spezifikation

IRGB30B60K Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRGB30B60K Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRGB30B60K

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 30A  
Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 46ns/185ns  
Schaltenergie 350µJ (on), 825µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Leistung - max 370 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ NPT  
Gate-Ladung 102 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 78 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRGB30B60K.

Produkteigenschaften IRGB30B60K IRGB15B60KDPBF IRGB4056DPBF IRGB14C40LPBF
Artikelnummer IRGB30B60K IRGB15B60KDPBF IRGB4056DPBF IRGB14C40LPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Bulk Tube Tube
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120 A 62 A 48 A -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Gate-Ladung 102 nC 84 nC 25 nC 27 nC
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 30A 2.2V @ 15V, 15A 1.85V @ 15V, 12A 1.75V @ 5V, 14A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V 400V, 15A, 22Ohm, 15V 400V, 12A, 22Ohm, 15V -
Eingabetyp Standard Standard Standard Logic
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 78 A 31 A 24 A 20 A
IGBT-Typ NPT NPT Trench -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 46ns/185ns 34ns/184ns 31ns/83ns 900ns/6µs
Leistung - max 370 W 208 W 140 W 125 W
Schaltenergie 350µJ (on), 825µJ (off) 220µJ (on), 340µJ (off) 75µJ (on), 225µJ (off) -
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V 600 V 430 V

IRGB30B60K Datenblatt PDF

Laden Sie IRGB30B60K PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRGB30B60K - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 11/Aug/2008.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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