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IRGIB15B60KD1P - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRGIB15B60KD1P
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRGIB15B60KD1P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 19A 52W TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRGIB15B60KD1P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4550

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Anzahl

Spezifikation

IRGIB15B60KD1P Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRGIB15B60KD1P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRGIB15B60KD1P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A  
Testbedingung 400V, 15A, 22Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/173ns  
Schaltenergie 127µJ (on), 334µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 67 ns  
Leistung - max 52 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ NPT  
Gate-Ladung 56 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 38 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 19 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRGIB15B60KD1P.

Produkteigenschaften IRGIB15B60KD1P IRGIB4620DPBF IRGIB7B60KDPBF IRGIB6B60KDPBF
Artikelnummer IRGIB15B60KD1P IRGIB4620DPBF IRGIB7B60KDPBF IRGIB6B60KDPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier International Rectifier
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 67 ns 68 ns 95 ns 70 ns
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Paket Tube Tube Bulk Bulk
IGBT-Typ NPT NPT NPT NPT
Strom - Kollektor (Ic) (max) 19 A 32 A 12 A 11 A
Schaltenergie 127µJ (on), 334µJ (off) 185µJ (on), 355µJ (off) 160µJ (on), 160µJ (off) 110µJ (on), 135µJ (off)
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate-Ladung 56 nC 25 nC 29 nC 18.2 nC
Leistung - max 52 W 140 W 39 W 38 W
Strom - Collector Pulsed (Icm) 38 A 36 A 24 A 22 A
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Testbedingung 400V, 15A, 22Ohm, 15V 400V, 12A, 22Ohm, 15V 400V, 8A, 50Ohm, 15V 400V, 5A, 100Ohm, 15V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak PG-TO220 Full Pack TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/173ns 31ns/83ns 23ns/140ns 25ns/215ns
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A 1.85V @ 15V, 12A 2.2V @ 15V, 8A 2.2V @ 15V, 5A

IRGIB15B60KD1P Datenblatt PDF

Laden Sie IRGIB15B60KD1P PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRGIB15B60KD1P - Infineon Technologies herunter.

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