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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3202S
Infineon Technologies
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IRL3202S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3202S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3202S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL3202S.pdf
vorrätig: 4740

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Anzahl

Spezifikation

IRL3202S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3202S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3202S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 29A, 7V  
Verlustleistung (max) 69W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3202S.

Produkteigenschaften IRL3202S IRL3202PBF IRL3302S IRL3215
Artikelnummer IRL3202S IRL3202PBF IRL3302S IRL3215
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 48A (Tc) 39A (Tc) 12A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 4.5 V 43 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 35 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 150 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB D2PAK TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V 4.5V, 7V 4.5V, 7V 4V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 29A, 7V 16mOhm @ 29A, 7V 20mOhm @ 23A, 7V 166mOhm @ 7.2A, 10V
Verlustleistung (max) 69W (Tc) 69W (Tc) 57W (Tc) 80W (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±16V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 15 V 2000 pF @ 15 V 1300 pF @ 15 V 775 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -

IRL3202S Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3202S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3202S - Infineon Technologies herunter.

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EOL122B 02/Oct/2007.pdf Multiple Devices 25/May/2012.pdf
Datenblätter
IRL3202S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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