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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3705ZPBF
IRL3705ZPBF Image
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IRL3705ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3705ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3705ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL3705ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39730

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Anzahl

Spezifikation

IRL3705ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3705ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3705ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 52A, 10V  
Verlustleistung (max) 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL3705  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3705ZPBF.

Produkteigenschaften IRL3705ZPBF IRL3705NSPBF IRL3705ZSPBF IRL3705NS
Artikelnummer IRL3705ZPBF IRL3705NSPBF IRL3705ZSPBF IRL3705NS
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 89A (Tc) 75A (Tc) 89A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 2880 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Grundproduktnummer IRL3705 - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Verlustleistung (max) 130W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 130W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 52A, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 10mOhm @ 46A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V

IRL3705ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3705ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3705ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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