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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3714Z
IRL3714Z Image
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IRL3714Z - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3714Z
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3714Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL3714Z(L,S).pdf
vorrätig: 3870

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Anzahl

Spezifikation

IRL3714Z Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3714Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3714Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3714Z.

Produkteigenschaften IRL3714Z IRL3714S IRL3714ZS IRL3714SPBF
Artikelnummer IRL3714Z IRL3714S IRL3714ZS IRL3714SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V 7.2 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 47W (Tc) 35W (Tc) 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 15A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc) 36A (Tc) 36A (Tc) 36A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V 550 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V

IRL3714Z Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3714Z PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3714Z - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRL3714Z(L,S).pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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