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IRLR2705TRLPBF Image
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IRLR2705TRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR2705TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR2705TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR2705TRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 97270

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Spezifikation

IRLR2705TRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR2705TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR2705TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 68W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLR2705  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR2705TRLPBF.

Produkteigenschaften IRLR2705TRLPBF IRLR2905TRLPBF IRLR2905PBF IRLR2705TRPBF
Artikelnummer IRLR2705TRLPBF IRLR2905TRLPBF IRLR2905PBF IRLR2705TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Verlustleistung (max) 68W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Grundproduktnummer IRLR2705 IRLR2905 - IRLR2705
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 28A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 40mOhm @ 17A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRLR2705TRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR2705TRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR2705TRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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